Prindi leht
SI4447ADY-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 7.2 A, 0.036 ohm, SOIC, Surface Mount
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
55 635 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 0,714 € |
| 10+ | 0,500 € |
| 100+ | 0,341 € |
| 500+ | 0,284 € |
| 1000+ | 0,244 € |
| 5000+ | 0,204 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
0,71 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaVISHAY
Tootja toote nrSI4447ADY-T1-GE3
Tellimiskood2056685
Tehniliste andmete leht
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id7.2A
Drain Source On State Resistance0.036ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation4.2W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Toote ülevaade
- 40V, 7.2A, P-channel TrenchFET® power MOSFET in 8 pin SOIC package
- 100% Rg tested
- 100 % UIS tested
- Suitable for load switches, adaptor switch and notebook PCs
Tehnilised andmed
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
7.2A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
4.2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.036ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
-
Tehnilised dokumendid (3)
Seotud tooted
Leiti 1 toodet
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (07-Nov-2024)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000138
Toote jälitatavus