Prindi leht
SI4447ADY-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 7.2 A, 0.036 ohm, SOIC, Surface Mount
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
Saadaval tellimiseks
Tootja standardne tarneaeg: 19 nädal(at)
Teavitage mind, kui toode on uuesti laos
| Kogus | |
|---|---|
| 2500+ | 0,219 € |
| 7500+ | 0,210 € |
Hind:Each (Supplied on Full Reel)
Minimaalne: 2500
Mitmekordne: 2500
547,50 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaVISHAY
Tootja toote nrSI4447ADY-T1-GE3
Tellimiskood4320185
Tehniliste andmete leht
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id7.2A
Drain Source On State Resistance0.036ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation4.2W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Tehnilised andmed
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
7.2A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
4.2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.036ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Tehnilised dokumendid (3)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:To Be Advised
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000138
Toote jälitatavus