Prindi leht
BPW77NB
Phototransistor, 850 nm, 10 °, 250 mW, 3 Pins, TO-18
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
837 Laos
Vajate rohkem?
Ekspresstarne 1–2 tööpäeva jooksul
Tellige enne kella 17:00
Tasuta standardtarne
tellimustele alates 0,00 €
Täpsed tarneajad arvutatakse kassas
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 3,280 € |
| 10+ | 2,310 € |
| 25+ | 2,190 € |
| 50+ | 2,070 € |
| 100+ | 1,950 € |
| 500+ | 1,730 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
3,28 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Toote ülevaade
The BPW77NB is a Silicon NPN Phototransistor with high radiant sensitivity, base terminal and glass lens. It is sensitive to visible and near infrared radiation.
- 4.7mm Dimension
- High photo sensitivity
- High radiant sensitivity
- Suitable for visible and near infrared radiation
- Fast response times
- Base terminal connected
Rakendused
Industrial, Sensing & Instrumentation, Motor Drive & Control
Tehnilised andmed
Wavelength Typ
850nm
Power Consumption
250mW
Transistor Case Style
TO-18
Automotive Qualification Standard
-
Viewing Angle
10°
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Germany
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Germany
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (07-Nov-2024)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000454
Toote jälitatavus