Prindi leht
QSE114
Phototransistor, 880 nm, 50 °, 100 mW, 2 Pins
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
390 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 0,737 € |
| 10+ | 0,514 € |
| 25+ | 0,468 € |
| 50+ | 0,421 € |
| 100+ | 0,375 € |
| 500+ | 0,313 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
0,74 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Toote ülevaade
The QSE114 is a Plastic Silicon Infrared Phototransistor encapsulated in a wide angle, infrared transparent and black plastic side-looking package. This product is general usage and suitable for many different applications.
- NPN silicon phototransistor
- Medium wide reception angle (50°)
- Matched emitter - QEE113
- Daylight filter
- High sensitivity
- Blue dot marking on the top side
Rakendused
Sensing & Instrumentation, Industrial
Tehnilised andmed
Wavelength Typ
880nm
Power Consumption
100mW
Transistor Case Style
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Viewing Angle
50°
No. of Pins
2Pins
Product Range
-
MSL
-
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Thailand
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Thailand
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (27-Jun-2024)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000177
Toote jälitatavus