Prindi leht
SGB02N120ATMA1
IGBT, NPT, 6.2 A, 3.1 V, 62 W, 1.2 kV, TO-263 (D2PAK), 3 Pins
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaINFINEON
Tootja toote nrSGB02N120ATMA1
Tellimiskood2803433
Teise nimegaSGB02N120, SP000012558
Teie osa number
Tehniliste andmete leht
Tooteteave
TootjaINFINEON
Tootja toote nrSGB02N120ATMA1
Tellimiskood2803433
Teise nimegaSGB02N120, SP000012558
Tehniliste andmete leht
Continuous Collector Current6.2A
Collector Emitter Saturation Voltage3.1V
Power Dissipation62W
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Tehnilised andmed
Continuous Collector Current
6.2A
Power Dissipation
62W
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
3.1V
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.001
Toote jälitatavus