Prindi leht
WNSC2D10650DJ
Silicon Carbide Schottky Diode, Single, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-252 (DPAK)
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
2 495 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
Saadaval, kuni laos jätkub
| Kogus | |
|---|---|
| 100+ | 1,490 € |
| 500+ | 1,280 € |
| 1000+ | 1,120 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 100
Mitmekordne: 1
154,00 € (KM-ta)
Sellele tootele lisatakse ümberkerimise tasu 5,00 €
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaWEEN SEMICONDUCTORS
Tootja toote nrWNSC2D10650DJ
Tellimiskood3703847RL
Tehniliste andmete leht
Product Range-
Diode ConfigurationSingle
Repetitive Peak Reverse Voltage650V
Average Forward Current10A
Total Capacitive Charge14nC
Diode Case StyleTO-252 (DPAK)
No. of Pins3 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingSurface Mount
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Tehnilised andmed
Product Range
-
Repetitive Peak Reverse Voltage
650V
Total Capacitive Charge
14nC
No. of Pins
3 Pin
Diode Mounting
Surface Mount
SVHC
To Be Advised
Diode Configuration
Single
Average Forward Current
10A
Diode Case Style
TO-252 (DPAK)
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:To Be Advised
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.004082