Prindi leht
WNSC2D06650TJ
Silicon Carbide Schottky Diode, Single, 650 V, 6 A, 9.5 nC, DFN
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
2 978 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
Saadaval, kuni laos jätkub
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 0,721 € |
| 10+ | 0,702 € |
| 100+ | 0,682 € |
| 500+ | 0,663 € |
| 1000+ | 0,650 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
0,72 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaWEEN SEMICONDUCTORS
Tootja toote nrWNSC2D06650TJ
Tellimiskood3703842
Tehniliste andmete leht
Product Range-
Diode ConfigurationSingle
Repetitive Peak Reverse Voltage650V
Average Forward Current6A
Total Capacitive Charge9.5nC
Diode Case StyleDFN
No. of Pins5 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingSurface Mount
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Alternatiivid tootele WNSC2D06650TJ
Leiti 1 toodet
Tehnilised andmed
Product Range
-
Repetitive Peak Reverse Voltage
650V
Total Capacitive Charge
9.5nC
No. of Pins
5 Pin
Diode Mounting
Surface Mount
SVHC
To Be Advised
Diode Configuration
Single
Average Forward Current
6A
Diode Case Style
DFN
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:To Be Advised
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.004082