Prindi leht
WG40N65DFJQ
IGBT, 31 A, 1.5 V, 66 W, 650 V, TO-3PF, 3 Pins
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
320 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 0,893 € |
| 10+ | 0,875 € |
| 100+ | 0,857 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
0,89 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaWEEN SEMICONDUCTORS
Tootja toote nrWG40N65DFJQ
Tellimiskood4163315
Tehniliste andmete leht
Continuous Collector Current31A
Collector Emitter Saturation Voltage1.5V
Power Dissipation66W
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleTO-3PF
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Tehnilised andmed
Continuous Collector Current
31A
Power Dissipation
66W
Transistor Case Style
TO-3PF
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.5V
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
To Be Advised
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:To Be Advised
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000001