Prindi leht
VS-GT100TS065S
IGBT Module, Half Bridge, 247 A, 517 W, 175 °C, INT-A-PAK
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
2 Laos
Vajate rohkem?
Ekspresstarne 1–2 tööpäeva jooksul
Tellige enne kella 17:00
Tasuta standardtarne
tellimustele alates 0,00 €
Täpsed tarneajad arvutatakse kassas
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 79,960 € |
| 5+ | 76,860 € |
| 10+ | 73,750 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
79,96 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaVISHAY
Tootja toote nrVS-GT100TS065S
Tellimiskood4486844
Tehniliste andmete leht
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current247A
Collector Emitter Saturation Voltage-
Power Dissipation517W
Operating Temperature Max175°C
Transistor Case StyleINT-A-PAK
IGBT TerminationScrew
Collector Emitter Voltage Max650V
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench]
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Tehnilised andmed
IGBT Configuration
Half Bridge
Collector Emitter Saturation Voltage
-
Operating Temperature Max
175°C
IGBT Termination
Screw
IGBT Technology
IGBT 4 [Trench]
Product Range
-
Continuous Collector Current
247A
Power Dissipation
517W
Transistor Case Style
INT-A-PAK
Collector Emitter Voltage Max
650V
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Italy
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Italy
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (27-Jun-2024)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.185
Toote jälitatavus