Prindi leht
SQ2301CES-T1_GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 3.9 A, 0.12 ohm, SOT-23, Surface Mount
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
2 965 Laos
Vajate rohkem?
Ekspresstarne 1–2 tööpäeva jooksul
Tellige enne kella 17:00
Tasuta standardtarne
tellimustele alates 0,00 €
Täpsed tarneajad arvutatakse kassas
| Kogus | |
|---|---|
| 100+ | 0,184 € |
| 500+ | 0,145 € |
| 1000+ | 0,131 € |
| 5000+ | 0,113 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 100
Mitmekordne: 5
23,40 € (KM-ta)
Sellele tootele lisatakse ümberkerimise tasu 5,00 €
tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaVISHAY
Tootja toote nrSQ2301CES-T1_GE3
Tellimiskood4644754RL
Tehniliste andmete leht
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id3.9A
Drain Source On State Resistance0.12ohm
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation3W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Tehnilised andmed
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.12ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
3Pins
Continuous Drain Current Id
3.9A
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
3W
Operating Temperature Max
175°C
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Germany
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Germany
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000001
Toote jälitatavus