Prindi leht
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
30 671 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
Kogus | |
---|---|
1+ | 1,150 € |
10+ | 0,805 € |
100+ | 0,639 € |
500+ | 0,468 € |
1000+ | 0,420 € |
5000+ | 0,374 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
1,15 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaVISHAY
Tootja toote nrSIS892ADN-T1-GE3
Tellimiskood2283695
Tehniliste andmete leht
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id28A
Drain Source On State Resistance0.027ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation52W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Toote ülevaade
The SIS892ADN-T1-GE3 is a 100VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for telecom brick, primary side switch and synchronous rectification applications.
- 100% Rg tested
- 100% UIS tested
- Capable of operating with 5V gate drive
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
Rakendused
Industrial, Power Management, Communications & Networking
Tehnilised andmed
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
28A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
52W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.027ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Tehnilised dokumendid (2)
Alternatiivid tootele SIS892ADN-T1-GE3
Leiti 1 toodet
Seotud tooted
Leiti 1 toodet
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Taiwan
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Taiwan
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:Lead (07-Nov-2024)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.00012
Toote jälitatavus