Prindi leht
SIRA50DP-T1-RE3
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 100 A, 860 µohm, PowerPAK SO, Surface Mount
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaVISHAY
Tootja toote nrSIRA50DP-T1-RE3
Tellimiskood2846631
TootevalikTrenchFET Gen IV
Tehniliste andmete leht
13 870 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 1,830 € |
| 10+ | 1,270 € |
| 100+ | 0,971 € |
| 500+ | 0,755 € |
| 1000+ | 0,685 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
1,83 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaVISHAY
Tootja toote nrSIRA50DP-T1-RE3
Tellimiskood2846631
TootevalikTrenchFET Gen IV
Tehniliste andmete leht
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance860µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation100W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (07-Nov-2024)
Tehnilised andmed
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
100W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
860µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehnilised dokumendid (2)
Alternatiivid tootele SIRA50DP-T1-RE3
Leiti 8 toodet
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:Lead (07-Nov-2024)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000074
Toote jälitatavus