Prindi leht
SIR610DP-T1-RE3
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 35.4 A, 0.0239 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaVISHAY
Tootja toote nrSIR610DP-T1-RE3
Tellimiskood2747691
TootevalikThunderFET
Tehniliste andmete leht
10 624 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 2,030 € |
| 10+ | 1,530 € |
| 100+ | 1,110 € |
| 500+ | 0,886 € |
| 1000+ | 0,868 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
2,03 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaVISHAY
Tootja toote nrSIR610DP-T1-RE3
Tellimiskood2747691
TootevalikThunderFET
Tehniliste andmete leht
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id35.4A
Drain Source On State Resistance0.0239ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation104W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeThunderFET
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (07-Nov-2024)
Toote ülevaade
N-channel 200V (D-S) MOSFET suitable for use in fixed telecom, DC/DC converter, primary and secondary side switch, synchronous rectification, LED lighting, power supplies and Class D amplifier.
- ThunderFET® technology optimizes balance of RDS(on), Qi, Qsw and Qoss
- 100% Rg and UIS tested
Hoiatused
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehnilised andmed
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
35.4A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
104W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.0239ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
ThunderFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:Lead (07-Nov-2024)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.00001
Toote jälitatavus