Prindi leht
517 Laos
Vajate rohkem?
Ekspresstarne 1–2 tööpäeva jooksul
Tellige enne kella 17:00
Tasuta standardtarne
tellimustele alates 0,00 €
Täpsed tarneajad arvutatakse kassas
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 2,630 € |
| 10+ | 1,960 € |
| 100+ | 1,350 € |
| 500+ | 1,180 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
2,63 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaVISHAY
Tootja toote nrSIHG11N80AE-GE3
Tellimiskood3517215
TootevalikE
Tehniliste andmete leht
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source On State Resistance0.45ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation78W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Tehnilised andmed
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8A
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
78W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
0.45ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Tehnilised dokumendid (2)
Alternatiivid tootele SIHG11N80AE-GE3
Leiti 1 toodet
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:Lead (07-Nov-2024)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.00035