Prindi leht
SI7454DDP-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 21 A, 0.027 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
49 973 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 1,510 € |
| 10+ | 1,230 € |
| 100+ | 0,874 € |
| 500+ | 0,635 € |
| 1000+ | 0,560 € |
| 5000+ | 0,523 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
1,51 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaVISHAY
Tootja toote nrSI7454DDP-T1-GE3
Tellimiskood2283675
Tehniliste andmete leht
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id21A
Drain Source On State Resistance0.027ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation29.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Toote ülevaade
The SI7454DDP-T1-GE3 is a 100VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for DC-to-DC primary side switch, telecom/server, full/half-bridge DC-to-DC and synchronous rectification applications.
- 100% Rg tested
- 100% UIS tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
Rakendused
Industrial, Power Management, Communications & Networking
Tehnilised andmed
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
21A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
29.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.027ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Tehnilised dokumendid (2)
Alternatiivid tootele SI7454DDP-T1-GE3
Leiti 1 toodet
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:Lead (07-Nov-2024)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000272
Toote jälitatavus