Prindi leht
SI4599DY-T1-GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 40 V, 40 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.0295 ohm
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
18 688 Laos
Vajate rohkem?
Ekspresstarne 1–2 tööpäeva jooksul
Tellige enne kella 17:00
Tasuta standardtarne
tellimustele alates 0,00 €
Täpsed tarneajad arvutatakse kassas
| Kogus | |
|---|---|
| 5+ | 1,080 € |
| 50+ | 0,762 € |
| 100+ | 0,509 € |
| 500+ | 0,401 € |
| 1000+ | 0,362 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 5
Mitmekordne: 5
5,40 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaVISHAY
Tootja toote nrSI4599DY-T1-GE3
Tellimiskood1779270
Tehniliste andmete leht
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id N Channel6.8A
Continuous Drain Current Id P Channel6.8A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0295ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0295ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3W
Power Dissipation P Channel3.1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Toote ülevaade
The SI4599DY-T1-GE3 is a 40V Dual N and P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for backlight inverter for LCD display and full bridge converter applications. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- 100% Rg Tested
- 100% UIS Tested
Rakendused
Power Management
Tehnilised andmed
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id P Channel
6.8A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0295ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.1W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
6.8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0295ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Israel
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Israel
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000126
Toote jälitatavus