Prindi leht
SI4401DDY-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 16.1 A, 0.015 ohm, SOIC, Surface Mount
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
48 375 Laos
Vajate rohkem?
Ekspresstarne 1–2 tööpäeva jooksul
Tellige enne kella 17:00
Tasuta standardtarne
tellimustele alates 0,00 €
Täpsed tarneajad arvutatakse kassas
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 0,972 € |
| 10+ | 0,675 € |
| 100+ | 0,451 € |
| 500+ | 0,324 € |
| 1000+ | 0,319 € |
| 5000+ | 0,313 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
0,97 € (KM-ta)
tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
Tooteteave
TootjaVISHAY
Tootja toote nrSI4401DDY-T1-GE3
Tellimiskood2335309
Tehniliste andmete leht
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id16.1A
Drain Source On State Resistance0.015ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation6.3W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Toote ülevaade
The SI4401DDY-T1-GE3 is a 40VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch and POL applications.
- 100% Rg tested
- 100% UIS tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
Rakendused
Industrial, Power Management
Tehnilised andmed
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
16.1A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
6.3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.015ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
-
Tehnilised dokumendid (2)
Alternatiivid tootele SI4401DDY-T1-GE3
Leiti 4 toodet
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:United States
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:United States
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000295
Toote jälitatavus