Prindi leht
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
9 674 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
Kogus | |
---|---|
1+ | 1,570 € |
10+ | 1,210 € |
100+ | 0,971 € |
500+ | 0,837 € |
1000+ | 0,778 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
1,57 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaVISHAY
Tootja toote nrSI4204DY-T1-GE3
Tellimiskood2335306
Tehniliste andmete leht
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel19.8A
Continuous Drain Current Id P Channel19.8A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0038ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0038ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.25W
Power Dissipation P Channel3.25W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (21-Jan-2025)
Toote ülevaade
The SI4204DY-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for DC-to-DC converter, fixed telecom and notebook PC applications.
- Halogen-free
- TrenchFET® power MOSFET
Rakendused
Industrial, Power Management
Tehnilised andmed
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
19.8A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0038ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.25W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
19.8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0038ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
3.25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:Lead (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.001
Toote jälitatavus