Prindi leht
SI2319CDS-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 4.4 A, 0.064 ohm, SOT-23, Surface Mount
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
381 622 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 100+ | 0,320 € |
| 500+ | 0,243 € |
| 1000+ | 0,198 € |
| 5000+ | 0,164 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 100
Mitmekordne: 1
37,00 € (KM-ta)
Sellele tootele lisatakse ümberkerimise tasu 5,00 €
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaVISHAY
Tootja toote nrSI2319CDS-T1-GE3
Tellimiskood1858942RL
Tehniliste andmete leht
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id4.4A
Drain Source On State Resistance0.064ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation1.25W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Toote ülevaade
The SI2319CDS-T1-GE3 is a P-channel TrenchFET® Power MOSFET with 175°C operating temperature.
- ±20V Gate-source voltage
Rakendused
Industrial
Tehnilised andmed
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
4.4A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.064ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tehnilised dokumendid (2)
Alternatiivid tootele SI2319CDS-T1-GE3
Leiti 4 toodet
Seotud tooted
Leiti 4 toodet
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (07-Nov-2024)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000181