Prindi leht
SI2305CDS-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 8 V, 5.8 A, 0.028 ohm, SOT-23, Surface Mount
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
126 758 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 5+ | 0,447 € |
| 10+ | 0,250 € |
| 100+ | 0,164 € |
| 500+ | 0,149 € |
| 1000+ | 0,134 € |
| 5000+ | 0,104 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 5
Mitmekordne: 5
2,24 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaVISHAY
Tootja toote nrSI2305CDS-T1-GE3
Tellimiskood1779258
Tehniliste andmete leht
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds8V
Continuous Drain Current Id5.8A
Drain Source On State Resistance0.028ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation1.7W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Toote ülevaade
The SI2305CDS-T1-GE3 is a 8VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch and DC-to-DC converter applications.
- 100% Rg tested
- -55 to 150°C Operating temperature range
- Halogen-free
Rakendused
Industrial, Power Management, Portable Devices
Tehnilised andmed
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
5.8A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds
8V
Drain Source On State Resistance
0.028ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tehnilised dokumendid (2)
Alternatiivid tootele SI2305CDS-T1-GE3
Leiti 1 toodet
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (07-Nov-2024)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000008
Toote jälitatavus