Prindi leht
BPW85C
Phototransistor, 850 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pins, T-1 (3mm)
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
1 723 Laos
Vajate rohkem?
Ekspresstarne 1–2 tööpäeva jooksul
Tellige enne kella 17:00
Tasuta standardtarne
tellimustele alates 0,00 €
Täpsed tarneajad arvutatakse kassas
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 0,594 € |
| 10+ | 0,366 € |
| 25+ | 0,340 € |
| 50+ | 0,314 € |
| 100+ | 0,288 € |
| 500+ | 0,254 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
0,59 € (KM-ta)
tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Toote ülevaade
The BPW85C is a Silicon NPN Phototransistor with high radiant sensitivity in clear plastic package. It is sensitive to visible and near infrared radiation. It is suitable for detector in electronic control and drive circuits.
- Leaded package
- High photo sensitivity
- High radiant sensitivity
- Suitable for visible and near infrared radiation
- Fast response time
- ϕ = ±25° Angle of half sensitivity
Rakendused
Sensing & Instrumentation, Automation & Process Control
Tehnilised andmed
Wavelength Typ
850nm
Power Consumption
100mW
Transistor Case Style
T-1 (3mm)
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Viewing Angle
25°
No. of Pins
2Pins
Product Range
-
MSL
-
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Germany
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Germany
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (07-Nov-2024)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000215
Toote jälitatavus