Prindi leht
BPW85B
Phototransistor, 850 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pins, T-1 (3mm)
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
487 Laos
5 000 Varusid saab nüüd reserveerida
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 0,755 € |
| 10+ | 0,431 € |
| 25+ | 0,391 € |
| 50+ | 0,350 € |
| 100+ | 0,310 € |
| 500+ | 0,266 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
0,76 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaVISHAY
Tootja toote nrBPW85B
Tellimiskood1612662
Tehniliste andmete leht
Wavelength Typ850nm
Viewing Angle25°
Power Consumption100mW
No. of Pins2Pins
Transistor Case StyleT-1 (3mm)
Product Range-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Toote ülevaade
- Leaded silicon NPN phototransistor in clear, T-1 plastic package
- High photo sensitivity and high radiant sensitivity
- Suitable for visible and near infrared radiation
- Fast response times
- Angle of half sensitivity: ϕ = ± 25°
- 4mA maximum collector light current at Ee = 1 mW/cm2, λ = 950nm, VCE = 5V
Tehnilised andmed
Wavelength Typ
850nm
Power Consumption
100mW
Transistor Case Style
T-1 (3mm)
Automotive Qualification Standard
-
Viewing Angle
25°
No. of Pins
2Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Philippines
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Philippines
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (07-Nov-2024)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000171
Toote jälitatavus