Prindi leht
BPW85B
Phototransistor, 850 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pins, T-1 (3mm)
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
4 895 Laos
Vajate rohkem?
Ekspresstarne 1–2 tööpäeva jooksul
Tellige enne kella 17:00
Tasuta standardtarne
tellimustele alates 0,00 €
Täpsed tarneajad arvutatakse kassas
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 0,684 € |
| 10+ | 0,440 € |
| 25+ | 0,405 € |
| 50+ | 0,370 € |
| 100+ | 0,335 € |
| 500+ | 0,285 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
0,68 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Toote ülevaade
- Leaded silicon NPN phototransistor in clear, T-1 plastic package
- High photo sensitivity and high radiant sensitivity
- Suitable for visible and near infrared radiation
- Fast response times
- Angle of half sensitivity: ϕ = ± 25°
- 4mA maximum collector light current at Ee = 1 mW/cm2, λ = 950nm, VCE = 5V
Tehnilised andmed
Wavelength Typ
850nm
Power Consumption
100mW
Transistor Case Style
T-1 (3mm)
Automotive Qualification Standard
-
Viewing Angle
25°
No. of Pins
2Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Philippines
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Philippines
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (07-Nov-2024)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000171
Toote jälitatavus