Prindi leht
BPW17N
Phototransistor, 825 nm, 12 °, 100 mW, 2 Pins, T-3/4 (1.8mm)
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
5 916 Laos
Vajate rohkem?
.
.
Tasuta standardtarne
tellimustele alates 0,00 €
Täpsed tarneajad arvutatakse kassas
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 0,819 € |
| 10+ | 0,508 € |
| 25+ | 0,472 € |
| 50+ | 0,437 € |
| 100+ | 0,401 € |
| 500+ | 0,339 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
0,82 € (KM-ta)
tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
Toote ülevaade
- Leaded silicon NPN phototransistor in clear, T-3/4 plastic package with lens
- Dimension is Ø 1.8mm
- High photo sensitivity and high radiant sensitivity
- Suitable for visible and near infrared radiation
- Fast response times
- Angle of half sensitivity is ϕ ± 12°
- Used as detector in electronic control and drive circuits
- 1.0mA collector light current at Ee = 1mW/cm2, λ = 950nm, VCE = 5V
- Wavelength of peak sensitivity is 825nm
Tehnilised andmed
Wavelength Typ
825nm
Power Consumption
100mW
Transistor Case Style
T-3/4 (1.8mm)
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Viewing Angle
12°
No. of Pins
2Pins
Product Range
-
MSL
-
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Germany
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Germany
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (07-Nov-2024)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000151
Toote jälitatavus