Prindi leht
UJ3D1220K2
Silicon Carbide Schottky Diode, Single, 1.2 kV, 20 A, 83 nC, TO-247
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
435 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 10,610 € |
| 5+ | 10,600 € |
| 10+ | 10,590 € |
| 50+ | 6,150 € |
| 100+ | 6,010 € |
| 250+ | 5,860 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
10,61 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaONSEMI
Tootja toote nrUJ3D1220K2
Tellimiskood4222006
Tehniliste andmete leht
Product Range-
Diode ConfigurationSingle
Repetitive Peak Reverse Voltage1.2kV
Average Forward Current20A
Total Capacitive Charge83nC
Diode Case StyleTO-247
No. of Pins2 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingThrough Hole
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Tehnilised andmed
Product Range
-
Repetitive Peak Reverse Voltage
1.2kV
Total Capacitive Charge
83nC
No. of Pins
2 Pin
Diode Mounting
Through Hole
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Diode Configuration
Single
Average Forward Current
20A
Diode Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Philippines
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Philippines
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Y-Ex
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (17-Jan-2023)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.001
Toote jälitatavus