Prindi leht
2N6331
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 100 V, 30 A, 200 W, TO-3, Through Hole
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
Ei toodeta enam
Tooteteave
TootjaTT ELECTRONICS / SEMELAB
Tootja toote nr2N6331
Tellimiskood1182793
Tehniliste andmete leht
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max100V
Continuous Collector Current30A
Power Dissipation200W
Transistor Case StyleTO-3
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins2Pins
Transition Frequency-
DC Current Gain hFE Min6hFE
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (16-Jul-2019)
Tehnilised andmed
Transistor Polarity
PNP
Continuous Collector Current
30A
Transistor Case Style
TO-3
No. of Pins
2Pins
DC Current Gain hFE Min
6hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
100V
Power Dissipation
200W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
-
Operating Temperature Max
200°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (16-Jul-2019)
Tehnilised dokumendid (1)
Seotud tooted
Leiti 1 toodet
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:United States
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:United States
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (16-Jul-2019)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.0115