Prindi leht
TP65H035G4WS
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 46 A, 0.041 ohm, 22 nC, TO-247, Through Hole
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaRENESAS
Tootja toote nrTP65H035G4WS
Tellimiskood4371962
TootevalikSuperGaN Series
Tehniliste andmete leht
443 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 17,780 € |
| 5+ | 17,470 € |
| 10+ | 17,150 € |
| 50+ | 11,220 € |
| 100+ | 10,660 € |
| 250+ | 10,090 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
17,78 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaRENESAS
Tootja toote nrTP65H035G4WS
Tellimiskood4371962
TootevalikSuperGaN Series
Tehniliste andmete leht
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id46A
Drain Source On State Resistance0.041ohm
Typical Gate Charge22nC
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Product RangeSuperGaN Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tehnilised andmed
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.041ohm
Transistor Case Style
TO-247
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
46A
Typical Gate Charge
22nC
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
SuperGaN Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Vajab kinnitamist
Väga ohtlik aine:No SVHC (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.001896