Prindi leht
XPQ1R00AQB,LXHQ(O
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 300 A, 1030 µohm, L-TOGL, Surface Mount
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaTOSHIBA
Tootja toote nrXPQ1R00AQB,LXHQ(O
Tellimiskood4294085
TootevalikU-MOSX-H Series
Teise nimegaXPQ1R00AQB, XPQ1R00AQB,LXHQ
Tehniliste andmete leht
2 457 Laos
Vajate rohkem?
Ekspresstarne 1–2 tööpäeva jooksul
Tellige enne kella 17:00
Tasuta standardtarne
tellimustele alates 0,00 €
Täpsed tarneajad arvutatakse kassas
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 4,670 € |
| 10+ | 3,810 € |
| 100+ | 3,150 € |
| 500+ | 3,090 € |
| 1000+ | 3,020 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
4,67 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaTOSHIBA
Tootja toote nrXPQ1R00AQB,LXHQ(O
Tellimiskood4294085
TootevalikU-MOSX-H Series
Teise nimegaXPQ1R00AQB, XPQ1R00AQB,LXHQ
Tehniliste andmete leht
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id300A
Drain Source On State Resistance1030µohm
Transistor Case StyleL-TOGL
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation750W
No. of Pins9Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeU-MOSX-H Series
QualificationAEC-Q101
SVHCTo Be Advised
Tehnilised andmed
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
300A
Transistor Case Style
L-TOGL
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
750W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
1030µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
9Pins
Product Range
U-MOSX-H Series
SVHC
To Be Advised
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Japan
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Japan
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Vajab kinnitamist
Väga ohtlik aine:To Be Advised
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000803
Toote jälitatavus