Prindi leht
XPH3R114MC,L1XHQ(O
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 100 A, 3100 µohm, SOP Advance, Surface Mount
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaTOSHIBA
Tootja toote nrXPH3R114MC,L1XHQ(O
Tellimiskood4294068
TootevalikU-MOSVI Series
Teise nimegaXPH3R114MC, XPH3R114MC,L1XHQ
Tehniliste andmete leht
3 269 Laos
Vajate rohkem?
Ekspresstarne 1–2 tööpäeva jooksul
Tellige enne kella 17:00
Tasuta standardtarne
tellimustele alates 0,00 €
Täpsed tarneajad arvutatakse kassas
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 1,550 € |
| 10+ | 1,170 € |
| 100+ | 0,878 € |
| 500+ | 0,862 € |
| 1000+ | 0,845 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
1,55 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaTOSHIBA
Tootja toote nrXPH3R114MC,L1XHQ(O
Tellimiskood4294068
TootevalikU-MOSVI Series
Teise nimegaXPH3R114MC, XPH3R114MC,L1XHQ
Tehniliste andmete leht
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance3100µohm
Transistor Case StyleSOP Advance
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.1V
Power Dissipation170W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeU-MOSVI Series
QualificationAEC-Q101
SVHCTo Be Advised
Tehnilised andmed
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Transistor Case Style
SOP Advance
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
170W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
3100µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.1V
No. of Pins
8Pins
Product Range
U-MOSVI Series
SVHC
To Be Advised
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Japan
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Japan
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Vajab kinnitamist
Väga ohtlik aine:To Be Advised
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000083
Toote jälitatavus