Prindi leht
XPH1R104PS,L1XHQ(O
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 120 A, 1140 µohm, SOP Advance, Surface Mount
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaTOSHIBA
Tootja toote nrXPH1R104PS,L1XHQ(O
Tellimiskood4294081
TootevalikU-MOSIX-H Series
Teise nimegaXPH1R104PS, XPH1R104PS,L1XHQ
Tehniliste andmete leht
4 900 Laos
Vajate rohkem?
Ekspresstarne 1–2 tööpäeva jooksul
Tellige enne kella 17:00
Tasuta standardtarne
tellimustele alates 0,00 €
Täpsed tarneajad arvutatakse kassas
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 1,680 € |
| 10+ | 1,140 € |
| 100+ | 0,847 € |
| 500+ | 0,790 € |
| 1000+ | 0,732 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
1,68 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaTOSHIBA
Tootja toote nrXPH1R104PS,L1XHQ(O
Tellimiskood4294081
TootevalikU-MOSIX-H Series
Teise nimegaXPH1R104PS, XPH1R104PS,L1XHQ
Tehniliste andmete leht
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id120A
Drain Source On State Resistance1140µohm
Transistor Case StyleSOP Advance
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation132W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeU-MOSIX-H Series
QualificationAEC-Q101
SVHCTo Be Advised
Tehnilised andmed
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
120A
Transistor Case Style
SOP Advance
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
132W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
1140µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
U-MOSIX-H Series
SVHC
To Be Advised
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Japan
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Japan
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Vajab kinnitamist
Väga ohtlik aine:To Be Advised
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.00008
Toote jälitatavus