Prindi leht
TRS8V65H,LQ(S
Silicon Carbide Schottky Diode, Single Dual Anode, 650 V, 23 A, 22 nC, DFN
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaTOSHIBA
Tootja toote nrTRS8V65H,LQ(S
Tellimiskood4227514
Teise nimegaTRS8V65H, TRS8V65H,LQ
Tehniliste andmete leht
4 500 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 2,810 € |
| 10+ | 2,110 € |
| 100+ | 1,700 € |
| 500+ | 1,500 € |
| 1000+ | 1,290 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
2,81 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaTOSHIBA
Tootja toote nrTRS8V65H,LQ(S
Tellimiskood4227514
Teise nimegaTRS8V65H, TRS8V65H,LQ
Tehniliste andmete leht
Product Range-
Diode ConfigurationSingle Dual Anode
Repetitive Peak Reverse Voltage650V
Average Forward Current23A
Total Capacitive Charge22nC
Diode Case StyleDFN
No. of Pins5 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingSurface Mount
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Tehnilised andmed
Product Range
-
Repetitive Peak Reverse Voltage
650V
Total Capacitive Charge
22nC
No. of Pins
5 Pin
Diode Mounting
Surface Mount
SVHC
To Be Advised
Diode Configuration
Single Dual Anode
Average Forward Current
23A
Diode Case Style
DFN
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Y-Ex
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:To Be Advised
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000175
Toote jälitatavus