Prindi leht
TRS8E65H,S1Q(S
Silicon Carbide Schottky Diode, Single, 650 V, 23 A, 22 nC, TO-220
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaTOSHIBA
Tootja toote nrTRS8E65H,S1Q(S
Tellimiskood4227513
Teise nimegaTRS8E65H, TRS8E65H,S1Q
Tehniliste andmete leht
40 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 3,350 € |
| 10+ | 3,320 € |
| 100+ | 1,430 € |
| 500+ | 1,360 € |
| 1000+ | 1,330 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
3,35 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaTOSHIBA
Tootja toote nrTRS8E65H,S1Q(S
Tellimiskood4227513
Teise nimegaTRS8E65H, TRS8E65H,S1Q
Tehniliste andmete leht
Product Range-
Diode ConfigurationSingle
Repetitive Peak Reverse Voltage650V
Average Forward Current23A
Total Capacitive Charge22nC
Diode Case StyleTO-220
No. of Pins2 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingThrough Hole
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Tehnilised andmed
Product Range
-
Repetitive Peak Reverse Voltage
650V
Total Capacitive Charge
22nC
No. of Pins
2 Pin
Diode Mounting
Through Hole
SVHC
To Be Advised
Diode Configuration
Single
Average Forward Current
23A
Diode Case Style
TO-220
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Y-Ex
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:To Be Advised
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.0019