Prindi leht
TPW3R70APL,L1Q(M
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 150 A, 3100 µohm, DSOP, Surface Mount
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaTOSHIBA
Tootja toote nrTPW3R70APL,L1Q(M
Tellimiskood4173251RL
TootevalikU-MOSIX-H Series
Teise nimegaTPW3R70APL, TPW3R70APL,L1Q
Tehniliste andmete leht
2 850 Laos
Vajate rohkem?
Ekspresstarne 1–2 tööpäeva jooksul
Tellige enne kella 17:00
Tasuta standardtarne
tellimustele alates 0,00 €
Täpsed tarneajad arvutatakse kassas
| Kogus | |
|---|---|
| 100+ | 1,560 € |
| 500+ | 1,380 € |
| 1000+ | 1,340 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 100
Mitmekordne: 1
161,00 € (KM-ta)
Sellele tootele lisatakse ümberkerimise tasu 5,00 €
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaTOSHIBA
Tootja toote nrTPW3R70APL,L1Q(M
Tellimiskood4173251RL
TootevalikU-MOSIX-H Series
Teise nimegaTPW3R70APL, TPW3R70APL,L1Q
Tehniliste andmete leht
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id150A
Drain Source On State Resistance3100µohm
Transistor Case StyleDSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation170W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeU-MOSIX-H Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Tehnilised andmed
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
150A
Transistor Case Style
DSOP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
170W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
3100µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
U-MOSIX-H Series
SVHC
To Be Advised
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Y-Ex
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:To Be Advised
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.0001
Toote jälitatavus