Prindi leht
GT50JR22(STA1,E,S)
IGBT, 50 A, 1.55 V, 230 W, 600 V, TO-3PN, 3 Pins
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaTOSHIBA
Tootja toote nrGT50JR22(STA1,E,S)
Tellimiskood3872260
Teise nimegaGT50JR22, GT50JR22(STA1
Tehniliste andmete leht
166 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 6,230 € |
| 10+ | 4,940 € |
| 100+ | 3,650 € |
| 500+ | 2,600 € |
| 1000+ | 2,550 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
6,23 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaTOSHIBA
Tootja toote nrGT50JR22(STA1,E,S)
Tellimiskood3872260
Teise nimegaGT50JR22, GT50JR22(STA1
Tehniliste andmete leht
Continuous Collector Current50A
Collector Emitter Saturation Voltage1.55V
Power Dissipation230W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-3PN
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Tehnilised andmed
Continuous Collector Current
50A
Power Dissipation
230W
Transistor Case Style
TO-3PN
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.55V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
To Be Advised
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:To Be Advised
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000001
Toote jälitatavus