Prindi leht
GT25Q102
IGBT, 25 A, 2.7 V, 200 W, 1.2 kV, TO-3P, 3 Pins
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
Ei toodeta enam
Tooteteave
TootjaTOSHIBA
Tootja toote nrGT25Q102
Tellimiskood1300802
Tehniliste andmete leht
Continuous Collector Current25A
Collector Emitter Saturation Voltage2.7V
Power Dissipation200W
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor Case StyleTO-3P
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
Tehnilised andmed
Continuous Collector Current
25A
Power Dissipation
200W
Transistor Case Style
TO-3P
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2.7V
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Japan
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Japan
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Vajab kinnitamist
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.00975