Prindi leht
STQ1NK80ZR-AP
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 300 mA, 13 ohm, TO-92, Through Hole
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
916 Laos
4 000 Varusid saab nüüd reserveerida
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 5+ | 0,982 € |
| 10+ | 0,727 € |
| 100+ | 0,490 € |
| 500+ | 0,395 € |
| 1000+ | 0,353 € |
| 5000+ | 0,309 € |
Hind:Each
Minimaalne: 5
Mitmekordne: 5
4,91 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaSTMICROELECTRONICS
Tootja toote nrSTQ1NK80ZR-AP
Tellimiskood2344082
Tehniliste andmete leht
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id300mA
Drain Source On State Resistance13ohm
Transistor Case StyleTO-92
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.75V
Power Dissipation3W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Toote ülevaade
The STQ1NK80ZR-AP is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. The SuperMESH™ is obtained through an extreme optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing ON-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dV/dt capability for the most demanding applications. This MOSFET complements ST full range of high voltage Power MOSFETs including revolutionary MDmesh™ products.
- 100% Avalanche tested
- Extremely high dV/dt capability
- New high voltage benchmark
Rakendused
Industrial, Power Management
Tehnilised andmed
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
300mA
Transistor Case Style
TO-92
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
13ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.75V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.00034
Toote jälitatavus