Prindi leht
STPSC8TH13TI
Silicon Carbide Schottky Diode, 650V Series, Dual Series, 650 V, 8 A, 23.5 nC, TO-220AB
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaSTMICROELECTRONICS
Tootja toote nrSTPSC8TH13TI
Tellimiskood2376481
Tootevalik650V
Tehniliste andmete leht
Saadaval tellimiseks
Tootja standardne tarneaeg: 19 nädal(at)
Teavitage mind, kui toode on uuesti laos
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 5,290 € |
| 10+ | 4,970 € |
| 100+ | 2,430 € |
| 500+ | 2,370 € |
| 1000+ | 2,360 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
5,29 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaSTMICROELECTRONICS
Tootja toote nrSTPSC8TH13TI
Tellimiskood2376481
Tootevalik650V
Tehniliste andmete leht
Product Range650V
Diode ConfigurationDual Series
Repetitive Peak Reverse Voltage650V
Average Forward Current8A
Total Capacitive Charge23.5nC
Diode Case StyleTO-220AB
No. of Pins3 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingThrough Hole
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tehnilised andmed
Product Range
650V
Repetitive Peak Reverse Voltage
650V
Total Capacitive Charge
23.5nC
No. of Pins
3 Pin
Diode Mounting
Through Hole
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Diode Configuration
Dual Series
Average Forward Current
8A
Diode Case Style
TO-220AB
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.0443
Toote jälitatavus