Prindi leht
STPSC8H065G2Y-TR
Silicon Carbide Schottky Diode, Single, 650 V, 8 A, 23.5 nC, D2PAK HV
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
937 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 4,040 € |
| 10+ | 2,660 € |
| 100+ | 1,910 € |
| 500+ | 1,400 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
4,04 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaSTMICROELECTRONICS
Tootja toote nrSTPSC8H065G2Y-TR
Tellimiskood3105988
Tehniliste andmete leht
Product Range-
Diode ConfigurationSingle
Repetitive Peak Reverse Voltage650V
Average Forward Current8A
Total Capacitive Charge23.5nC
Diode Case StyleD2PAK HV
No. of Pins3 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingSurface Mount
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Toote ülevaade
Hoiatused
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehnilised andmed
Product Range
-
Repetitive Peak Reverse Voltage
650V
Total Capacitive Charge
23.5nC
No. of Pins
3 Pin
Diode Mounting
Surface Mount
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Diode Configuration
Single
Average Forward Current
8A
Diode Case Style
D2PAK HV
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.00138
Toote jälitatavus