Prindi leht
STPSC10H12G-TR
Silicon Carbide Schottky Diode, Single, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, TO-263 (D2PAK)
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
1 167 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 5,030 € |
| 10+ | 3,680 € |
| 100+ | 3,400 € |
| 500+ | 3,120 € |
| 1000+ | 2,840 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
5,03 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaSTMICROELECTRONICS
Tootja toote nrSTPSC10H12G-TR
Tellimiskood2760448
Tehniliste andmete leht
Product Range-
Diode ConfigurationSingle
Repetitive Peak Reverse Voltage1.2kV
Average Forward Current10A
Total Capacitive Charge57nC
Diode Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins3 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingSurface Mount
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tehnilised andmed
Product Range
-
Repetitive Peak Reverse Voltage
1.2kV
Total Capacitive Charge
57nC
No. of Pins
3 Pin
Diode Mounting
Surface Mount
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Diode Configuration
Single
Average Forward Current
10A
Diode Case Style
TO-263 (D2PAK)
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.00138
Toote jälitatavus