Prindi leht
STP80NF55-06
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 80 A, 6500 µohm, TO-220, Through Hole
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaSTMICROELECTRONICS
Tootja toote nrSTP80NF55-06
Tellimiskood1291987
TootevalikSTP
Teie osa number
Tehniliste andmete leht
498 Laos
Vajate rohkem?
Ekspresstarne 1–2 tööpäeva jooksul
Tellige enne kella 17:00
Tasuta standardtarne
tellimustele alates 0,00 €
Täpsed tarneajad arvutatakse kassas
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 2,770 € |
| 10+ | 1,210 € |
| 100+ | 1,130 € |
| 500+ | 0,973 € |
| 1000+ | 0,884 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
2,77 € (KM-ta)
tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
Tooteteave
TootjaSTMICROELECTRONICS
Tootja toote nrSTP80NF55-06
Tellimiskood1291987
TootevalikSTP
Tehniliste andmete leht
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance6500µohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation300W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeSTP
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Toote ülevaade
The STP80NF55-06 is a 55V N-channel STripFET™ II Power MOSFET developed using unique "single feature size"™ strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
- Exceptional dv/dt capability
- 100% Avalanche tested
- Application oriented characterization
Rakendused
Industrial
Tehnilised andmed
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
6500µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
STP
MSL
MSL 2 - 1 year
Tehnilised dokumendid (2)
Alternatiivid tootele STP80NF55-06
Leiti 6 toodet
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Y-Ex
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:Lead (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.002843
Toote jälitatavus