Prindi leht
STGYA75H120DF2
IGBT, 150 A, 2.1 V, 750 W, 1.2 kV, TO-247LL, 3 Pins
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
Saadaval tellimiseks
Tootja standardne tarneaeg: 18 nädal(at)
Teavitage mind, kui toode on uuesti laos
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 8,620 € |
| 5+ | 6,840 € |
| 10+ | 5,060 € |
| 50+ | 4,800 € |
| 100+ | 4,550 € |
| 250+ | 4,290 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
8,62 € (KM-ta)
tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaSTMICROELECTRONICS
Tootja toote nrSTGYA75H120DF2
Tellimiskood3886275
Tehniliste andmete leht
Continuous Collector Current150A
Collector Emitter Saturation Voltage2.1V
Power Dissipation750W
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor Case StyleTO-247LL
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Tehnilised andmed
Continuous Collector Current
150A
Power Dissipation
750W
Transistor Case Style
TO-247LL
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2.1V
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (25-Jun-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.00443
Toote jälitatavus