Prindi leht
STGWT80V60DF
IGBT, 120 A, 1.85 V, 469 W, 600 V, TO-3P, 3 Pins
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaSTMICROELECTRONICS
Tootja toote nrSTGWT80V60DF
Tellimiskood2629743
TootevalikV
Tehniliste andmete leht
Saadaval tellimiseks
Tootja standardne tarneaeg: 35 nädal(at)
Teavitage mind, kui toode on uuesti laos
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 6,970 € |
| 5+ | 6,160 € |
| 10+ | 4,720 € |
| 50+ | 4,150 € |
| 100+ | 3,700 € |
| 250+ | 3,630 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
6,97 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaSTMICROELECTRONICS
Tootja toote nrSTGWT80V60DF
Tellimiskood2629743
TootevalikV
Tehniliste andmete leht
Continuous Collector Current120A
Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
Power Dissipation469W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-3P
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product RangeV
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tehnilised andmed
Continuous Collector Current
120A
Power Dissipation
469W
Transistor Case Style
TO-3P
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
V
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Collector Emitter Saturation Voltage
1.85V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
MSL
-
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:South Korea
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:South Korea
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.00001
Toote jälitatavus