Prindi leht
STGWT15H60F
IGBT, Trench Gate, 30 A, 1.6 V, 115 W, 600 V, TO-3P, 3 Pins
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaSTMICROELECTRONICS
Tootja toote nrSTGWT15H60F
Tellimiskood2797965
TootevalikH
Tehniliste andmete leht
Ei toodeta enam
Tooteteave
TootjaSTMICROELECTRONICS
Tootja toote nrSTGWT15H60F
Tellimiskood2797965
TootevalikH
Tehniliste andmete leht
Continuous Collector Current30A
Collector Emitter Saturation Voltage1.6V
Power Dissipation115W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-3P
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product RangeH
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Tehnilised andmed
Continuous Collector Current
30A
Power Dissipation
115W
Transistor Case Style
TO-3P
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
H
Collector Emitter Saturation Voltage
1.6V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:South Korea
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:South Korea
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (17-Dec-2015)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.00443
Toote jälitatavus