Prindi leht
STGWA8M120DF3
IGBT, 16 A, 1.85 V, 167 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaSTMICROELECTRONICS
Tootja toote nrSTGWA8M120DF3
Tellimiskood2729672
TootevalikM
Tehniliste andmete leht
13 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 2,600 € |
| 10+ | 2,280 € |
| 100+ | 1,890 € |
| 500+ | 1,690 € |
| 1000+ | 1,560 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
2,60 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaSTMICROELECTRONICS
Tootja toote nrSTGWA8M120DF3
Tellimiskood2729672
TootevalikM
Tehniliste andmete leht
Continuous Collector Current16A
Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
Power Dissipation167W
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product RangeM
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tehnilised andmed
Continuous Collector Current
16A
Power Dissipation
167W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
M
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Collector Emitter Saturation Voltage
1.85V
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
MSL
-
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.00443
Toote jälitatavus