Prindi leht
STGWA40HP65FB2
IGBT, 72 A, 1.55 V, 227 W, 650 V, TO-247, 3 Pins
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaSTMICROELECTRONICS
Tootja toote nrSTGWA40HP65FB2
Tellimiskood2987008
TootevalikHB2
Tehniliste andmete leht
108 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 4,100 € |
| 10+ | 4,040 € |
| 100+ | 2,290 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
4,10 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaSTMICROELECTRONICS
Tootja toote nrSTGWA40HP65FB2
Tellimiskood2987008
TootevalikHB2
Tehniliste andmete leht
Continuous Collector Current72A
Collector Emitter Saturation Voltage1.55V
Power Dissipation227W
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product RangeHB2
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tehnilised andmed
Continuous Collector Current
72A
Power Dissipation
227W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
HB2
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Collector Emitter Saturation Voltage
1.55V
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.00618