Prindi leht
STGW75H65DFB2-4
IGBT, 115 A, 1.55 V, 357 W, 650 V, TO-247, 4 Pins
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaSTMICROELECTRONICS
Tootja toote nrSTGW75H65DFB2-4
Tellimiskood3581059
TootevalikHB2
Tehniliste andmete leht
Saadaval tellimiseks
Tootja standardne tarneaeg: 18 nädal(at)
Teavitage mind, kui toode on uuesti laos
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 6,820 € |
| 5+ | 6,670 € |
| 10+ | 6,520 € |
| 50+ | 4,100 € |
| 100+ | 3,830 € |
| 250+ | 3,750 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
6,82 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaSTMICROELECTRONICS
Tootja toote nrSTGW75H65DFB2-4
Tellimiskood3581059
TootevalikHB2
Tehniliste andmete leht
Continuous Collector Current115A
Collector Emitter Saturation Voltage1.55V
Power Dissipation357W
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product RangeHB2
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tehnilised andmed
Continuous Collector Current
115A
Power Dissipation
357W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
HB2
Collector Emitter Saturation Voltage
1.55V
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
4Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.00443
Toote jälitatavus