Prindi leht
STGW60H65DFB-4
IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 4 Pins
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaSTMICROELECTRONICS
Tootja toote nrSTGW60H65DFB-4
Tellimiskood2778105
TootevalikHB
Tehniliste andmete leht
26 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 6,580 € |
| 5+ | 6,410 € |
| 10+ | 5,390 € |
| 50+ | 4,370 € |
| 100+ | 3,340 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
6,58 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaSTMICROELECTRONICS
Tootja toote nrSTGW60H65DFB-4
Tellimiskood2778105
TootevalikHB
Tehniliste andmete leht
Continuous Collector Current80A
Collector Emitter Saturation Voltage1.6V
Power Dissipation375W
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product RangeHB
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tehnilised andmed
Continuous Collector Current
80A
Power Dissipation
375W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
HB
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Collector Emitter Saturation Voltage
1.6V
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
4Pins
Transistor Mounting
Through Hole
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.00443
Toote jälitatavus