Prindi leht
STGW30NC60KD
IGBT, 60 A, 2.1 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
523 Laos
210 Varusid saab nüüd reserveerida
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 8,480 € |
| 10+ | 6,340 € |
| 100+ | 4,190 € |
| 500+ | 3,810 € |
| 1000+ | 3,800 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
8,48 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaSTMICROELECTRONICS
Tootja toote nrSTGW30NC60KD
Tellimiskood2849654
Tehniliste andmete leht
Continuous Collector Current60A
Collector Emitter Saturation Voltage2.1V
Power Dissipation200W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tehnilised andmed
Continuous Collector Current
60A
Power Dissipation
200W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Collector Emitter Saturation Voltage
2.1V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehnilised dokumendid (2)
Alternatiivid tootele STGW30NC60KD
Leiti 1 toodet
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.002