Prindi leht
STGW20IH125DF
IGBT, 40 A, 2 V, 259 W, 1.25 kV, TO-247, 3 Pins
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaSTMICROELECTRONICS
Tootja toote nrSTGW20IH125DF
Tellimiskood3366988
TootevalikIH
Tehniliste andmete leht
1 290 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 3,740 € |
| 10+ | 2,710 € |
| 100+ | 1,680 € |
| 500+ | 1,510 € |
| 1000+ | 1,330 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
3,74 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaSTMICROELECTRONICS
Tootja toote nrSTGW20IH125DF
Tellimiskood3366988
TootevalikIH
Tehniliste andmete leht
Continuous Collector Current40A
Collector Emitter Saturation Voltage2V
Power Dissipation259W
Collector Emitter Voltage Max1.25kV
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product RangeIH
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tehnilised andmed
Continuous Collector Current
40A
Power Dissipation
259W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
IH
Collector Emitter Saturation Voltage
2V
Collector Emitter Voltage Max
1.25kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.00443
Toote jälitatavus