Prindi leht
STGP4M65DF2
IGBT, 8 A, 1.6 V, 68 W, 650 V, TO-220, 3 Pins
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaSTMICROELECTRONICS
Tootja toote nrSTGP4M65DF2
Tellimiskood2729669
TootevalikM
Tehniliste andmete leht
1 770 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 0,825 € |
| 10+ | 0,354 € |
| 100+ | 0,352 € |
| 500+ | 0,351 € |
| 1000+ | 0,350 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
0,82 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaSTMICROELECTRONICS
Tootja toote nrSTGP4M65DF2
Tellimiskood2729669
TootevalikM
Tehniliste andmete leht
Continuous Collector Current8A
Collector Emitter Saturation Voltage1.6V
Power Dissipation68W
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleTO-220
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product RangeM
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tehnilised andmed
Continuous Collector Current
8A
Power Dissipation
68W
Transistor Case Style
TO-220
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
M
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Collector Emitter Saturation Voltage
1.6V
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
MSL
-
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.0019