Prindi leht
STGD6NC60HDT4
IGBT, 15 A, 1.9 V, 56 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pins
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaSTMICROELECTRONICS
Tootja toote nrSTGD6NC60HDT4
Tellimiskood2849653
TootevalikPowerMESH
Tehniliste andmete leht
Tooteteave
TootjaSTMICROELECTRONICS
Tootja toote nrSTGD6NC60HDT4
Tellimiskood2849653
TootevalikPowerMESH
Tehniliste andmete leht
Continuous Collector Current15A
Collector Emitter Saturation Voltage1.9V
Power Dissipation56W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingSurface Mount
Product RangePowerMESH
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Tehnilised andmed
Continuous Collector Current
15A
Power Dissipation
56W
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
PowerMESH
Collector Emitter Saturation Voltage
1.9V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Vajab kinnitamist
Väga ohtlik aine:No SVHC (17-Dec-2015)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.002